IPI80CN10N G参数：MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012标准包装：500系列：OptiMOS™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：13A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80毫欧@13A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@12µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：716pF@50V功率-最大值：31W安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA供应商器件封装：PG-TO262-3
